| Modelo de chip | Potência máxima | Tamanho luminoso | Largura de linha espectral | Ângulo de divergência | Alta pressão | Largura do pulso | Tipo de pacote | Encapsulamento | Número de pinos | Janela | Faixa de temperatura de trabalho |
| 905D1S3J03 | 72 W 80 V | 10 × 85 μm | 8 nm | 20 × 12° | 15~80V | 2,4 ns/21℃, disparo de 40 ns, 10 kHz, 65 V | TO | TO-56 | 5 | - | -40~100℃ |
Características
▪ Invólucro hermético TO-56 (5 pinos)
▪ Diodo laser de tripla junção de 905 nm, faixa de 3 mil, 6 mil e 9 mil
▪ Largura de pulso típica de 2,5 ns, possibilitando aplicações de medição de distância de alta resolução.
▪ Armazenamento de carga de baixa tensão: 15 V a 80 V CC
▪ Frequência de pulso: até 200 kHz
▪ Quadro de avaliação disponível
▪ Disponível para produção em massa
Aplicações
▪ Medição de distância de alta resolução para consumidores
▪ Varredura a laser / LIDAR
▪ Drones
▪ Gatilho óptico
▪ Automotivo
▪ Robótica
▪ Militar
▪ Industrial